Buck-Boost电路中，最低电压为其最恶劣情况

以下图为例：

注：1、Np为初级绕组匝数，Ns为次级绕组匝数；

2、Vmos为MOS最大耐压值，1为整流管压降，Vl为漏，Vl=100V，Vmos选取遵循的原则：开关关断瞬间，加在MOS上电压值为Vmos的25%（或30V）时，应留有50V的裕度。 

若电路处于CCM模式，取频率为f。

1、确定初/次级匝数比

∵Vmos=Vinmax+(Np/Ns) (Vo+1)+Vl

∴初/次级匝数比n=Np/Ns=(Vmos-Vinmax-80-100)/(Vo+1)；

2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式

由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff  ---①（设MOS、整流管正向导通压降为1V）

为保证电路工作于CCM模式，应使ton+toff=T  -----------②

故联立①②得tonmax={(Vo+1)*(Np/Ns)*T}/{(Vinmin-1)+(Vo+1)*(Np/Ns)}；

3、 初级电感确定

∵Pout= ηPin，Pout=Vo*Icps*(toff/T)，Pin=Vinmin*Icpr*(tonmax/T)；

（Icpr:初级电流上升斜坡中间值，Icps:次级电流下降斜坡中间值）

∴Icpr=(Po*T)/(η*Vinmin*tonmax)

∵Icpr=dIp/2

∴Lp= =(Vinmin-1)*tonmax/dIp=(Vinmin-1)*tonmax/(2*Icpr)

4、初/次级匝数确定

Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)

Ns=Np/n

5、  初/次级电流有效值确定 

Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))

Irms(次级)=Ip*(Np/Ns)*(√(Toff/T))/(√3)

若电路处于DCM模式，取频率为f

1、确定初/次级匝数比

∵

∴初/次级匝数比

；

2、保证磁芯不饱和且始终工作在CCM模式

由伏秒平衡知(Vinmin-1)ton=(Vo+1) *toff  ---①（设MOS、整流管正向导通压降为1V）

为保证电路工作于DCM模式，应使ton+toff=T  -----------②

故联立①②得

；

3、 初级电感确定

4、初/次级匝数确定

5、  初/次级电流有效值确定